قلم S Pen في Galaxy S26 Ultra يحصل على تطوير كبير وتوافق مغناطيسي محسّن

تستعد شركة سامسونج للكشف عن نقلة تقنية نوعية في تجربة المستخدم مع هاتفها الرائد القادم Galaxy S26 Ultra، حيث تشير تسريبات موثوقة إلى أن الشركة تعمل على معالجة إحدى أكثر المشكلات التقنية التي طالما واجهت مستخدمي سلسلة Galaxy Note وUltra على مدار أكثر من عقد من الزمن، وهي مشكلة التداخل المغناطيسي التي تؤثر على أداء قلم S Pen عند استخدام إكسسوارات تحتوي على مغناطيس مثل الحافظات أو الشواحن اللاسلكية.

وقد أكدت التسريبات أن سامسونج تسعى إلى تقديم تحسينات كبرى على قلم S Pen في إصدار S26 Ultra، تشمل دعمًا محسنًا للإكسسوارات المغناطيسية، ما سيُحسن من تفاعل القلم على الشاشة ويحد من ظاهرة "المناطق الميتة" أو ضعف الاستجابة، التي تظهر عادة عند استعمال إكسسوارات خارجية تحتوي على مغناطيس بالقرب من الهاتف.

معاناة طويلة

منذ ظهور أول إصدار من هواتف Galaxy Note، واجه المستخدمون مشكلات متكررة تتعلق باستجابة قلم S Pen، لاسيما عند استخدام أغطية أو قواعد شحن مغناطيسية، حيث تؤدي الحقول المغناطيسية إلى تقاطع مع إشارات اللوحة الرقمية (Digitizer) المسؤولة عن استقبال حركة القلم، مما يسبب تأخيرًا أو انقطاعًا في التفاعل.

وفي Galaxy S25 Ultra، ورغم دعم الجهاز لتقنية الشحن المغناطيسي الجديدة Qi2، إلا أن سامسونج لم تدمج مغناطيسًا داخليًا في الهاتف، وبدلاً من ذلك تظهر تنبيهات تحذر من قرب أي مغناطيس من منطقة S Pen. 

وقد اضطر المستخدمون إلى استخدام حلول خارجية محدودة مثل الأغطية الذكية المخصصة، والتي غالبًا ما لا تكون عملية أو متعددة الاستخدامات.

تقنيات واعدة

بحسب التسريب الذي نقله الحساب التقني المعروف @PandaFlashPro، فإن سامسونج تعمل حاليًا على تطوير تقنية جديدة إما في القلم نفسه أو في اللوحة الرقمية الداخلية، تتيح مقاومة التداخل المغناطيسي، وتسمح بإدماج مغناطيسات داخل هيكل الهاتف دون التأثير على دقة استجابة القلم.

ومن المتوقع أن تظهر البوادر الأولى لهذه التقنية في هاتف Galaxy Z Fold 7، الذي سيتم الكشف عنه خلال فعالية Galaxy Unpacked المقررة في 9 يوليو 2025 في نيويورك. 

ورغم أن Fold 7 لن يحتوي على فتحة داخلية لقلم S Pen، إلا أن نجاح التجربة قد يمهد لتضمينها بشكل كامل في S26 Ultra الذي سيستفيد من التصميم التقليدي مع فتحة القلم المدمجة.

تطلعات مرتفعة

إلى جانب التعديلات الكبيرة على قلم S Pen، ينتظر المستخدمون أيضًا مواصفات قوية من Galaxy S26 Ultra، من أبرزها معالج Exynos 2600 المبني بتقنية تصنيع 2 نانومتر، وذاكرة وصول عشوائي (RAM) بسعة 16 جيجابايت، إلى جانب بطارية كبيرة السعة يُتوقع أن تقل قليلاً عن 5400 مللي أمبير. 

كما من المرجح أن يتضمن الهاتف دعمًا محسنًا لتقنية Qi2 الخاصة بالشحن المغناطيسي اللاسلكي، والتي ستتيح تثبيت الجهاز بشكل آمن وسريع على قواعد الشحن.

وبينما لا تزال الكثير من تفاصيل Galaxy S26 Ultra قيد السرية، إلا أن معالجة مشكلة التداخل المغناطيسي تمثل نقلة مهمة في تجربة القلم الذكي، ما قد يجعل هذا الهاتف من أبرز إصدارات سامسونج القادمة وأكثرها انتظارًا من قبل المستخدمين والمهتمين بالإنتاجية الإبداعية.